Certification

砷化镓

CMK 通过液封直拉法 (LEC) 或垂直梯度凝固 (VGF) 生长方法制造半绝缘和半导体砷化镓 晶片和锭。所需的电参数通过高纯度的 6N 原料（镓和砷）实现。为达到选定的浓度，使用了锌、 硅和碲等掺杂剂。

Ignots
Gallium Arsenide

生产过程涉及在 PBN 和高纯石英坩埚中生长单晶和多晶砷化镓。我们提供直径从 2 英寸到 4 英寸的单晶晶片和整锭，质量适合外延加工和高频与光电应用。

高质量的材料由经过训练完全合格的员工生产，以满足客户的特殊需求。

单晶砷化镓的规格
砷化镓 半绝缘性，无掺杂 砷化镓 半导体性 p 型和 n 型
直径 晶片：从 2 英寸到 4 英寸
锭与合成物：从 2 英寸到 6 英寸
厚度 晶片：从 325 微米到 750 微米
锭与合成物：从 2 英寸到 6 英寸
掺杂物 – 锌、硅、碲
载子浓度 – n 型 1 x 1016 – 2 x 1018 cm-3
p 型 1 x 1016 – 5 x 1019 cm-3
晶体取向 (100)、(110)、(111)
晶向偏离 最高 15°，如有必要 >15°
电阻率 >1 x 107 Ωcm >1 x 10-3 Ωcm
霍尔迁移率 >6000 cm2 V-1s-1 n 型 1 x 1016 – 2 x 1018 cm-3
p 型低 1 x 1016 – 5 x 1019 cm-3
腐蚀坑密度 (EPD) <1 x 104 cm-2 液封直拉法 (LEC): <7 x 104 cm-2
垂直梯度凝固 (VGF): <5 x 103 cm-2
表面处理 晶片：切割/研磨/蚀刻/单面和双面抛光 锭和合成物：研磨/生长/切割
平面取向 US SEMI 或 EJ 标准
包装 标准/Empak/Fluoroware/Fluoroware N2 密封

 

此外，我们还以晶片和锭的形式提供直径从 0.5 英寸到 4.25 英寸的多晶砷化镓。我们的产 品采用高压制造，利用精确的化学计量控制高纯度原料。利用 GDMS 对每个锭进行分析，旨在确 定其纯度。

polycrystalline GaAs ingot
polycrystalline GaAs ingot

多晶砷化镓被用作进一步加工和应用的原料。 

多晶砷化镓的规格
砷化镓半绝缘性，无掺杂 砷化镓半导体性 p 型和 n 型
直径 晶片：从 0.5 英寸到 4.25 英寸
锭与合成物：从 2 英寸到 6 英寸
厚度 晶片：从 0.5 毫米到 40 毫米
锭与合成物：从 50 毫米到 100 毫米
掺杂物 – 锌、硅、碲
载子浓度/td>

 – n 型 1 x 1016 – 2 x 1018 cm-3
p 型 1 x 1016 – 5 x 1019 cm-3
电阻率 >1 x 107 Ωcm >1 x 10-3 Ωcm
霍尔迁移率 >1 x 103 cm2 V-1s-1 n 型 >1500 cm2 V-1 s-1
p 型低
腐蚀坑密度 (EPD) <1 x 104 cm-2 液封直拉法 (LEC): <7 x 104 cm-2
垂直梯度凝固 (VGF): <5 x 103 cm-2
表面处理 晶片：切割/蚀刻
锭和合成物：研磨/生长/切割
平面取向 US SEMI 或 EJ 标准
包装 标准/Fluoroware/Fluoroware N2 密封

 

砷化镓材料的包装

我们提供各种类型的包装，适用于切割和抛光晶片：

  • Fluoroware 单独容器，
  • Fluoroware 型托盘在惰性气体中单独密封，
  • Empak 型 25 晶片盒，
  • 标准型适用于整锭和晶体的包装；
GaAs packaging
GaAs packaging

砷化镓应用领域

单晶砷化镓

半绝缘砷化镓

  • 直径：2、3 和 4 英寸晶片和锭
  • 不掺杂硅

半导体砷化镓

  • 直径：2、3 和 4 英寸晶片和锭
  • SC n 型 – 掺杂硅和碲
  • SC p 型 – 掺杂锌
integrated circuit
LED lightning

应用领域: LED 产业、高科技产业、微机电系统 (MEMS)、太阳能产品、有源元件、集成电路、 电信配件等。

多晶砷化镓

砷化镓晶片

  • 直径：0.5 – 4.25 英寸
  • 厚度：0.5 毫米 – 40 毫米
  • 不掺杂硅
  • SC n 型掺杂硅和碲，p 型掺杂锌

适合 VGF 生长、直径达 6 英寸的砷化镓锭

  • 直径：4.5 – 6 英寸
  • 厚度：50 – 100 毫米
  • 不掺杂硅
  • SC n 型掺杂硅和碲，p 型掺杂锌
  • 生长方法：LEC 和 VGF
solar cells
solar cells

应用领域: 多晶砷化镓用作制造砷化镓产品的原料（LED 工业、光纤通信、微波电路、太阳能电池应 用、高效光伏器件等）。

光学组件的空白

光电子砷化镓晶片

  • 直径：0.5 – 4.25 英寸
  • 厚度：1 毫米 – 20 毫米
  • 不掺杂硅
  • 生长方法：液封直拉法 (LEC)

应用领域 无线通信、PHEMT 技术、光电器件（光电二极管、光电管、光敏电阻、集成光路、光耦合 器、激光二极管、红外发光二极管）、芯片、光纤通信、太阳能产品等。