Арсенид галлия

Компания CMK производит полуизолирующие и полупроводниковые пластины и слитки из арсенида галлия методом Чохральского с жидкостной герметизацией или методом вертикальной направленной кристаллизации. Требуемые электрические параметры достигаются благодаря использованию сырья чистотой 6N (галлия и мышьяка). Чтобы получить нужный уровень концентрации, применяются легирующие примеси: цинк, кремний и теллур.

Производство включает выращивание монокристаллического и поликристаллического арсенида галлия в тиглях из пиролитического нитрида бора и особо чистого кварца. Мы производим монокристаллические пластины и цельные слитки диаметром 2–4 дюйма, пригодные для эпитаксии и применения в высокочастотных и оптоэлектронных приборах.

Специально обученный квалифицированный персонал производит высококачественный материал с учетом всех пожеланий заказчика.

Характеристики монокристаллического арсенида галлия

Полуизолирующий арсенид галлия,нелегированный

Полупроводниковый арсенид галлия, дырочная и электронная проводимость

Диаметр	пластины: 2–4 дюйма слитки и синтез: 2–6 дюймов
Толщина	пластины: 325–750 мкм слитки и синтез: 2–6 дюймов

Легирующая примесь	–	Цинк, кремний, теллур
Концентрация носителей	–	электронная проводимость 1 x 10¹⁶ – 2 x 10¹⁸ см^-3 дырочная проводимость 1 x 10¹⁶ – 5 x 10¹⁹ см^-3

Ориентация кристалла	(100), (110), (111)
Разориентация	до 15°, более 15° при необходимости

Удельное сопротивление	>1 x 10⁷ Ом•см	>1 x 10^-3 Ом•см
Холловская подвижность	>6000 см² В^-1с^-1	электронная проводимость >1500 см²/В^-1·с-¹; дырочная проводимость: низкая
Плотность ямок травления (EPD)	<1 x 10⁴ см^-2	метод Чохральского с жидкостной герметизацией: <7 x 10⁴ см^-2 метод вертикальной направленной кристаллизации: <5 x 10³ см^-2

Обработка поверхности	пластины: резка / притир / травление / одностороннее и двустороннее полирование слитки и синтез: шлифование / выращивание / резка
Ориентация срезов	по стандарту SEMI или EJ
Упаковка	стандартная упаковка / EMPAK / Fluoroware / Fluoroware с герметизацией при помощи азота

Кроме того, мы предоставляем поликристаллический арсенид галлия в виде плиток и слитков диаметром 0,5–4,25 дюйма. Наши продукты изготавливаются под высоким давлением из особо чистого сырья с точным стехиометрическим контролем. Чистота каждого слитка определяется с применением метода масс-спектрометрии тлеющего разряда.

Поликристаллический арсенид галлия используется в качестве сырья для дальнейшей обработки и применения в различных сферах.

Характеристики поликристаллического арсенида галлия

Полуизолирующий арсенид галлия,нелегированный

Полупроводниковый арсенид галлия, дырочная и электронная проводимость

Диаметр	пластины: 0,5–4,25 дюйма слитки и синтез: 2–6 дюймов
Толщина	пластины: 0,5–40 мм слитки и синтез: 50–100 мм

Легирующая примесь	–	Цинк, кремний, теллур
Концентрация носителей	–	электронная проводимость 1 x 10¹⁶ – 2 x 10¹⁸ см^-3 дырочная проводимость 1 x 10¹⁶ – 5 x 10¹⁹ см^-3

Удельное сопротивление	>1 x 10⁷ Ом•см	>1 x 10^-3 Ом•см
Холловская подвижность	>1 x 10³ см² В^-1с^-1	электронная проводимость >1500 см² В^-1 с^-1 p-дырочная проводимость: низкая
Плотность травления (EPD)	<1 x 10⁴ см^-2	метод Чохральского с жидкостной герметизацией: <7 x 10⁴ см^-2 метод вертикальной направленной кристаллизации: <5 x 10³ см^-2

Обработка поверхности	пластины: резка / травление слитки и синтез: шлифование / выращивание / резка
Ориентация срезов	по стандарту SEMI или EJ
Упаковка	тандартная упаковка / Fluoroware / Fluoroware с герметизацией при помощи азота

Упаковка изделий из арсенида галлия

Мы предоставляем различные виды упаковки нарезанных и шлифованных пластин:

отдельные контейнеры Fluoroware;,
лотки Fluoroware с раздельной герметизацией в инертной среде,
кассеты Empak на 25 пластин,
стандартная упаковка для цельных слитков и кристаллов;

Область применения арсенида галлия

Монокристаллический арсенид галлия

Полуизолирующий арсенид галлия

диаметр: 2, 3 и 4 дюйма (плиты и слитки)
без легирования кремнием

Полупроводниковый арсенид галлия

диаметр: 2, 3 и 4 дюйма (плиты и слитки)
электронная проводимость: легирование кремнием и теллуром
дырочная проводимость: легирование цинком

Область применения: производство светодиодов, высокотехнологичных приборов, микроэлектромеханических систем, устройств с питанием от солнечной энергии, активных компонентов, интегральных микросхем, телекоммуникационных деталей и т. д.

Поликристаллический арсенид галлия

Плиты из арсенида галлия

диаметр: 0,5–4,25 дюйма
толщина: 0,5–40 мм
без легирования кремнием
электронная проводимость: легирование кремнием и теллуром; дырочная проводимость: легирование цинком

Слитки из арсенида галлия диаметром до 6 дюймов для выращивания кристаллов методом вертикальной направленной кристаллизации

диаметр: 4,5–6 дюймов
толщина: 50–100 мм
без легирования кремнием
электронная проводимость: легирование кремнием и теллуром; дырочная проводимость: легирование цинком
Метод выращивания: метод Чохральского с жидкостной герметизацией и метод вертикальной направленной кристаллизации

Область применения: применяется как исходный материал для производства других изделий из арсенида галлия (светодиодов, устройств волоконно-оптической связи, высокочастотных схем, высокопроизводительных фотогальванических приборов и т. д.)

Заготовки для оптических компонентов

Пластины из арсенида галлия для оптических компонентов

диаметр: 0,5–4,25 дюйма
толщина: 1–20 мм
без легирования кремнием
Метод выращивания: метод Чохральского с жидкостной герметизацией

Область применения:устройства беспроводной связи, псевдоморфные транзисторы с высокой подвижностью электронов, оптоэлектронные компоненты (фотодиоды, фототранзисторы, фоторезисторы, интегральные оптические схемы, оптосоединители, лазерные диоды, инфракрасные светодиоды), микросхемы, устройства волоконно-оптической связи, устройства с питанием от солнечной энергии и т. д.